Наноимпринт литография

Скачать презентацию на тему: "Наноимпринт литография" с количеством слайдов в размере 55 страниц. У нас вы найдете презентацию на любую тему и для каждого класса школьной программы. Мы уверены, что наши слайды помогут найти вам свою аудиторию. Весь материал предоставлен бесплатно, в знак благодарности мы просим Вас поделиться ссылками в социальных сетях и по возможности добавьте наш сайт MirPpt.ru в закладки.

Нажмите для просмотра
Наноимпринт литография

1: Обзор S-FIL нано-импринт литографии и последние результаты для CMOS и других нано- приложений Нияз Хуснатдинов Molecular Imprints, Inc.

2: План доклада Введение Принцип S-FIL литографии Описание технологии и последние достижения в производстве штампов Imprio I-250, характеристики на сегодняшний день и перспективы развития. Точность совмещения штампа и подложки Количество дефектов Производительность Краткое сравнение планов развития ИМ и технологий хранения памяти Планы развития S-FIL литографии Различные приложения S-FIL литографии Заключение

3:

4: Продолжение введения. В ХХ веке широкое распостранение получило печатание грампластинок В 1994 году Стив Чу продемонстрировал возможность использования импринт литографии для получения нано-структур

5:

6: Примеры импринт литографии John A. Rogers, University of Illinois, Urbana-Champaing, http://rogers. mse. uiuc. edu/files5C20065Cieeenano. pdf Печатание с помощью штампа сделанного из углеродной нанотрубки достигло разрешения 2. 4 нм. При этом использовался полимер затвердевающий под воздействием ультрафиолета

7: MII: Step & Flash Импринт Литография (S-FIL)

8: Динамика и однородность напечатанного слоя

9: S-FIL и S-FIL/R процессы

10: Гибкая печать на сапфире, 100 мм

11: Гибкая печать на сапфире, 100 мм

12: S-FIL Импринт Литография

13: Производство нано-штампа. Стардатный процесс.

14: Развитие процесса с использованием положительного резиста ZEP520 Ширина линий в зависимости от дозы экспозиции при различных диаметрах электронного пучка

15: ZEP520A: Bias -18nm, Штамп

16: Отпечатки: -18nm Bias, 28 – 40 nm HP

17: Профиль отпечатков: Bias -18 nm

18: 28 and 32 nm HP: малая чуствительность к изменению полученной дозы

19: 36 nm Half Pitch: No Bias – Очень чуствительна к изменению дозы

20: DNP нано-штамп написанный с помощью Гауссова пучка

21: Hoya нано-штамп для памяти с 30 нм Fins

22: Производство нано-штампа. Путь к меньшим размерам. Стандартный подход

23: Штамп: 25 нм полупериод

24: Штампы: полупериоды 19 нм и 21 нм

25: Полученные отпечатки со штампами 23 нм and 21 нм (полупериод)

26: Штамп после удаления хрома, Cr (Lift-off): Полупериоды 17 нм и 15 нм

27: Негативный резист HSQ: Штамп с полупериодом 15 нм

28: Негативный резист HSQ: Штамп с полупериодом 12. 5 нм

29: Достигнутое пространственное разрешение уже достаточно для проведения исследований

30: Инспектирование и ремонт нано-штампа 1x template inspection/repair builds on wafer inspection technology Two technologies being used to detect down to 20nm defects Die to die ebeam inspection (KLA ES32) Die to database inspection NGR – 2100

31: Время написания нано-штампа является важным фактором Время написания фото-масок существенно увеличилось! Для фото-маски с 65 нм структурами это может занять 24 часа даже с быстрыми резистами Преимущества написания штампов Нет оптической коррекции Меньшие размеры Размеры 1:1 позволяют делать репликацию

32: Сравнение исходного штампа и его реплики

33: Требования к установкам импринт литографии для CMOS приложений Высокая точность совмещения рисунка с предыдущим слоем Малый уровень дефектов Высокая производительность

34: Imprio - 250 Установка предназначена для CMOS приложений На ней можно получать структуры менее 20 нм с соответствующим совмещением рисунков Жесткий контроль за совмещением и размерами штампа Установка полностью автоматизирована для 200 / 300 мм-х пластин

35: Точность совмещения слоев (Overlay) Требуемая точность 20-25 от минимального размера. К примеру для полупериода 22 nm точность должна быть 5 nm Факторы, влияющие на точность Аккуратность механического совмещения штампа с нижним рисунком Увеличение/уменьшение размера штампа Точность рисунка на штампе Условия в которых находится установка – позиционная стабильность, контроль температуры и т. д. Molecular imprints использует стратегию совмещения рисунка и штампа в каждом индивидуальном поле Все эксперименты проведены в тандеме с 193 наномертовыми сканерами (mix and match mode), которые использовались для нанесения рисунка на нулевом слое (подложке)

36: Совмещение рисунка во время печати Совмещение измеряется с помощью растровых решеток (moiré) как на штампе, так и на подложке . Изначально эта техника была развита для рентгеновской электронной литографии.

37: Растровые решетки муара

38: Результаты по точности совмещения слоев Точность совмещения была продемонстрирована с двумя типами 193 нм сканерами Точность совмещения была измерена на стандартной KT установке. 32 поля на пластине, 81 точек измерений в каждом поле Достигнута точность 20 nm, 3

39: Последовательное уменьшение количества дефектов Данные включают все типы дефектов Наблюдается постепенное улучшение – приблизительно один порядок в год

40: Зависимость количества S-FIL дефектов от размеров

41: Устойчивость процесса к посторонним частицам. Самоочистка при последующем печатании.

42: Производительность Imprio-250 Сравнительно малая стоимость печатных головок позволяет установить несколько таких головок для увеличения производительности.

43: Сравнение планов для интегальных микросхем (ITRS) и для хранения информации (Information Storage)

44: План развития на ближайшие годы Производство структур с полупериодом 32 нм планируется на 2010 год. Этот срок определен планом развития элементов памяти

45: Приложения в CMOS индустрии Производство структур с полупериодом 32 нм начнется около 2010 года, что определяется развитием элементов памяти

46: IBM Almaden Research Center 30 нм Storage-Class сверхплотная постоянная память

47:

48: Продемонстрирована 27 нм FinFET литография с прекрасным контролем за размерами линий, вертикальностью стенок и малой шероховатостью Продемонстрирована 27 нм FinFET литография с прекрасным контролем за размерами линий, вертикальностью стенок и малой шероховатостью SFIL процесс интегрирован с 7 другими литографическими процессами (3-мя при 193 нм, 4-мя при 248 нм). «Mix and match» совмещение рисунка лучше 20 нм

49: Потенциал для 3-х мерной печати

50: Потенциал для 3-х мерной печати

51: Применение к фотонным кристаллам

52: Заключение. Почему именно импринт литография? Позволяет уже сегодня достичь уровня литографии менее 32 нм с маленькой шероховатостью линий (LER) Совместима с CMOS технологией Буквальная замена оптической литографии без изменения процессов до и после этого этапа Низкая себестоимость Репликация Не нужно применять оптическую коррекцию и нет ограничений на моделирование рисунка Возможность нанесения бинарного рисунка для носителей на дисках Возможность печатания 3-х мерного профиля Применение к фотонным кристаллам для ультра-ярких фотодиодов (LED) Приложения к другим секторам индустрии

53:

54: В 2006 году обе технологии EUV и S-FIL импринт начали продажи установок для CMOS!

55: MOLECULAR IMPRINTS, INC.

Скачать презентацию


MirPpt.ru